全球和国内光伏新增装机量快速增长，成长天花板被打开。根据CPIA预测，乐观情况下，全球光伏年新增装机在2022年将首次突破200GW，达到225GW的水平，到25年全球年新增装机将达到330GW，20-25年光伏新增装机的复合增长率达20%；2025年我国新增装机规模将达到110GW，相当于2020年底的3.7倍。

光伏逆变器出货量高速增长，IGBT作为逆变器“心脏”作用凸显。光伏逆变器是光伏系统的核心部件，可以将太阳能板产生的可变直流电转换为交流电，并反馈回输电系统或供离网的电网使用。

根据IHS Markit，近年来光伏产业的快速发展带动光伏逆变器市场规模快速提升，2020年全球光伏逆变器的市场规模为136GW，2025年将有望达到401GW，20-25年CAGR为24%。

光伏逆变器成本结构方面，半导体器件和集成电路材料主要为IGBT元器件和IC半导体，其中以IGBT为主的半导体器件在驱动保护、过电流／短路保护、过温保护、机械故障保护等方面发挥巨大作用，是逆变器的“心脏”，约占逆变器成本的12％左右。

SiC器件可有效提高光伏逆变器性能，有望逐步替代硅基IGBT成为逆变器核心。相比于硅基IGBT，SiC MOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。

根据SiC芯观察数据，采用SiC器件可有效提高光伏发电转换效率，光伏逆变器的转换效率可从硅基的96%提升至SiCMOSFET的99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。未来应用于光伏领域的SiC逐渐成熟，伴随渗透率的进一步提升，其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。

国内光伏逆变器厂商加快布局，为SiC国产化提供历史性机遇。随着中国光伏装机量的增长，中国本土厂商加快技术与产品升级，在全球已占据重要位置。在出货量排名前十的供应商中有六家是中国供应商，其中华为以23%的市占率位居榜首，国内逆变器厂商在全球逆变器市场中占据超六成市场份额。

未来随着新能源替代传统燃料进程加速，逆变器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向发展，SiC器件有望受益于本土供应链优势，迎来发展良机。根据SiC芯观察数据显示，2020年SiC光伏逆变器占比为10%，预计2035年占比将达到75%，未来空间十分广阔。