强强联合!古瑞瓦特和安森美半导体联合实验室二期正式建设完成
10月11日下午，古瑞瓦特与全球知名的半导体制造商安森美半导体举行的“古瑞瓦特新能源及安森美半导体联合实验室”二期建设正式完成，并举行了交流会议。古瑞瓦特总裁丁永强、古瑞瓦特副总裁吴良材、安森美半导体中国区销售总裁Roy Chia等领导出席了该会议。
深度交流共谋发展
会议上，双方就光伏市场变化、技术创新、合作方向进行了深度交流。安森美方代表介绍了安森美半导体技术实力，表示未来会加大与古瑞瓦特的技术合作。丁总表示，古瑞瓦特视产品品质及科技创新为生命，长期坚持高投入用于技术研发创新，公司产品品质及技术均已达到国际领先水平，与安森美半导体的深入合作，将进一步加强双方技术优势和资源优势的互补与整合，共谋发展，合作共赢。
强强联合互惠共赢
作为全球领先的分布式能源解决方案提供商，古瑞瓦特为全球提供多元化的高品质产品和服务。逆变器内部，凡是经过大电流的功率型器件，如IGBT、电感等对品质要求极高，以确保逆变器能够长期稳定工作。联合实验室的成立与建设旨在为IGBT等核心部件的实际应用，前沿技术的突破等提供支持与保障。
古瑞瓦特新能源及安森美联合实验室一期成立于2018年，位于古瑞瓦特的研发中心。安森美半导体提供各项设备并对古瑞瓦特研发团队进行深入培训技术交流，在实验室中即可对IGBT在逆变器中的使用进行提前预演，从热仿真、损耗测试、电压、电流、温度等多方面进行严格测试，保障IGBT的品质以及与逆变器的适配性。实验室建设分立式IGBT评估平台、IGBT模块评估平台，进行仿真、损耗、温升、应力、双脉冲测试等;SiC DIODE和SiC MOSFET评估平台，可应用于更高频更高功率密度设计等。此次联合实验室二期，安森美优化器件技术支持，新增设的示波器功能全新升级，适配高频组件。
联合实验室将在资源共享、技术开发、人才交流上深入合作，为古瑞瓦特创造业界领先的逆变器产品注入新的技术支持。更精准推动IGBT实际应用，推进技术交流。采用安森美更先进技术的晶元以及新封装，实现IGBT等前沿技术的突破，更高效实现光伏产品开发。
携手同行共话未来
古瑞瓦特与安森美半导体多年来一直保持良好的合作关系。实验室的建成与进一步发展完善，是两家企业建立更为紧密、长期的战略合作关系的桥梁，实现产品与科技的完美融合。
未来，古瑞瓦特将继续以优质产品为基石，探索更深层次发展与创新模式，不断实现技术突破和创新，提升品牌影响力和核心竞争力。古瑞瓦特和安森美半导体也将携手打造更高品质的产品，为客户提供更创新的、领先市场的解决方案。